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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
19+ |
数量 |
45833 |
| 制造商 |
Vishay |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
3.0A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
82mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
| Qg-栅极电荷 |
17nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
1.25W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
1.45mm |
长度 |
2.9mm |
| 系列 |
SI2 |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 宽度 |
1.6mm |
正向跨导-最小值 |
7S |
| 下降时间 |
25ns |
上升时间 |
15ns |
| 典型关闭延迟时间 |
25ns |
典型接通延迟时间 |
7ns |
| 零件号别名 |
SI2319DS-E3 |
单位重量 |
8mg |
| 型号 |
SI2319DS-T1-E3 |
|
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