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| 品牌 |
仙童 |
封装 |
TO252 |
| 批号 |
1916+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650V |
Id-连续漏极电流 |
10.2A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
380mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
30V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
3.5V |
Qg-栅极电荷 |
34nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
106W |
配置 |
Single |
| 商标名 |
SuperFETII |
高度 |
2.39mm |
| 长度 |
6.73mm |
产品 |
MOSFET |
| 系列 |
FCD380N60E |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
6.22mm |
商标 |
ONSemiconductor/Fairchild |
| 正向跨导-最小值 |
10S |
下降时间 |
10ns |
| 产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
9ns |
| 工厂包装数量 |
2500 |
子类别 |
MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 |
64ns |
典型接通延迟时间 |
17ns |
| 单位重量 |
260.370mg |
型号 |
FCD380N60E |
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