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地址： 中国 上海 闸北区上海市闸北区海宁路1399号金城大厦520室
| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRFB3207ZGPBF |
| 封装 |
TO-220 |
数量 |
800000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
75V |
| Id-连续漏极电流 |
170A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
3.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
| Qg-栅极电荷 |
120nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
300W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
15.65mm |
长度 |
10mm |
| 晶体管类型 |
4.4mm |
宽度 |
IRFB3207ZGPBFSP001554560 |
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRFB3207ZGPBF |
| 封装： | TO-220 |
| 数量： | 800000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 75 V |
| Id-连续漏极电流： | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 120 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 4.4 mm |
| 宽度： | IRFB3207ZGPBF SP001554560 |
18521770482