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| 型号 |
IXFH44N50P |
数量 |
5000 |
IXYS（现归属Littelfuse）的 IXFH34N65X2 是一款高性能 N沟道增强型MOSFET晶体管，专为高电压、高电流应用设计。以下是其关键参数和特性总结：
主要参数
1. 电压/电流规格：
漏源电压（V<sub>DSS
电压等级?：650V
? 连续漏极电流?：34A
? 封装形式?：TO-247（通孔）
? 栅极电荷?：56nC（@10V）
导通电阻?：105mΩ（@17A, 10V）
工作温度范围?：-55°C至+150°C
技术特性
采用HiPerFET? X2-Class系列技术，相比早期HiPerFET?系列，其导通电阻和栅极电荷更低，效率更高。
该系列适用于高频电路设计，支持30V栅极电压和540W功率耗散。
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