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| 型号 |
CRSS038N08N |
数量 |
8000 |
CR MICRO（华润微电子）的 N沟道MOSFET管 CRSS038N08N 是一款功率场效应晶体管，适用于开关电源、电机驱动等应用。以下是其关键参数和特性分析：
1. 基本参数
型号：CRSS038N08N
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：常见为TO 252（DPAK）或TO 263（D2PAK），需确认具体规格书。
极性：N沟道（低侧开关常用）。
2. 电气特性
漏源电压（V<sub>DS</sub>）：80V
适用于80V以下的高压场景，如电动车、工业电源。
连续漏极电流（I）
漏源电压（Vdss）：85V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ@10V,50A
耗散功率（Pd）：208W
阈值电压（Vgs(th)）：4V
栅极电荷量（Qg）：74nC@10V
输入电容（Ciss）：6.05nF
反向传输电容（Crss）：35pF
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