EA9-T6CL Automation Direct 适配器模块

　　EA9-T6CL Automation Direct 适配器模块

　　详细描述

　　7月8~10日，全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌携广泛的功率及电源类半导体产品亮相“2024慕尼黑上海电子展”。以“低碳化和数字化推动可持续发展”为主题，全面展示了英飞凌在绿色低碳可持续技术领域的深厚积淀，以及在绿色能源与工业、智能家居、电动汽车等应用市场的创新解决方案。在展会期间，还举办“2024英飞凌宽禁带”，聚焦于第三代半导体新材料、新应用的发展成果，与行业伙伴共同探讨宽禁带领域的应用与发展，携手推动低碳化和数字化的发展进程。

　　伴随新能源多应用市场的蓬勃发展，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。作为全球功率系统领域的半导体，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。

　　在9日上午的主开场致辞中，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟表示：“半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动实现低碳转型。在当前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料和新技术已开始广泛应用于新能源、电动汽车、储能、快充等多个领域。作为者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”

　　在《宽禁带创新技术加速低碳化和数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟和英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐分别从市场角度阐述了英飞凌在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽禁带半导体领域的优势。基于在SiC领域的丰厚积累，英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，全球的8英寸碳化硅功率晶圆厂以及业界最广泛的SiC产品组合、应用市场、客户群覆盖。尤其是推出的新一代CoolSiCTMMOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。在GaN方面，自去年10月完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），目前英飞凌的氮化镓产品组合包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。如在AI服务器领域，基于AI系统对更高功率的需求，进一步增加了半导体的使用量。

　　在技术市场方面，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区技术市场负责人陈志豪和英飞凌科技高级技术总监、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区技术市场负责人陈立烽则从技术应用的角度介绍了英飞凌宽禁带产品如何助力能源效率提升。如Si、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比，指出虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用；结合CoolSiC?和CoolGaN?的技术特性及优势，分别在不同领域的典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN?双向开关在微型逆变器中的应用等。

　　此外，Yole Group化合物半导体资深分析师邱柏顺从行业分析的角度向与会者分享了全球碳化硅与氮化镓市场发展趋势及展望。华中科技大学教授、博导彭晗综合介绍了宽禁带功率器件的应用机遇与挑战。

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