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地址： 中国 广东 深圳市深圳市南山区南海大道4050号
| 品牌 |
化合积电CSMC |
型号 |
不限 |
| 封装 |
不限 |
类型 |
化合物半导体材料 |
| 材质 |
金刚石基氮化铝薄膜 |
产品名称 |
金刚石基氮化铝薄膜 |
| 牌号 |
化合积电 |
用途 |
氮化铝定制化生长 |
| 外观 |
不限 |
密度 |
以测量数据为准g/cm3 |
| 硬度 |
以测量数据为准Kg/mm2 |
特性 |
可进行专业检测 |
| 电阻率 |
以测量数据为准Ω*m |
适用温度 |
以测量数据为准℃ |
| 颜色 |
未知 |
规格尺寸 |
不限mm |
金刚石基氮化铝：
@高质量
@高热导率
@表面粗糙度小于1nm
@晶体质量好
@可定制化
产品名称
| 金刚石基氮化铝模板 (AlN on Diamond)
|
基材
| 1cm×1cm
|
基材厚度
| 300±20μm
|
厚度（Thickness）可定制
| 50~ 400nm;
|
厚度公差（Thickness tolerance）
| +/- 10nm
|
尺寸（Size）
| 1cm×1cm
|
生长面表面粗糙度（Roughness of growth surface）
| Ra < 1nm
|
FWHM 退火前
| 0.39°
|
关于企业
化合积电（厦门）半导体科技有限公司,是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底材料和基于GaN材料的电力电子、射频器件研发和生产的高科技企业。公司致力于为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”，通过不断的产品研发和技术创新，推动科技的发展和进步。主要产品包括：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、硅基氮化铝基板、GaN基HEMT、逆变器等。广泛应用于5G、快充、光伏、新能源汽车等领域。
创新研发掌握核心科技
研发实力位居全球前列，国际一流团队10余年技术积累，领衔建设高水平研究平台，汇聚来自全球半导体领域的科学家和资深工程师 ，攻克关键核心技术。
在厦门、首尔等地建立两大研发中心，拥有近1000平方米研发基地，全球的研发设备一应俱全，作为产学研合作标杆，行业前沿科技创新，获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号。
自主生产匠心品质
超3000平方米生产基地，智能制造设备确保品质，产品通过ISO9001质量管理体系认证，全方位确保客户售后无忧。
拥有MOCVD、PVD等国际一流设备20多台，是国内少数拥有完整半导体工艺链的平台之一。齐全的检测设备，100%检测，确保产品品质。
布局全球服务网络
立足厦门，构建全球销售服务总部和大型生产基地；建立上海、深圳两个办事处，高效便捷服务，赋能经济核心区；创设厦门、首尔两大研发中心支持全球客户技术和产品开发。
我们坚持以持续的技术创新为客户创造价值，秉持为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”理念，不断立足前沿，持续突破，工艺革新方向，在5G、快充、光伏、新能源汽车等领域，得到了行业头部重量级客户认可。
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