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| 品牌 |
化合积电CSMC |
型号 |
不限 |
| 类型 |
化合物半导体材料 |
材质 |
氮化铝 |
| 产品名称 |
氮化铝定制化 |
牌号 |
化合积电 |
| 用途 |
氮化铝定制化生长 |
外观 |
不限 |
| 密度 |
以测量数据为准g/cm3 |
硬度 |
以测量数据为准Kg/mm2 |
| 特性 |
可进行专业检测 |
电阻率 |
以测量数据为准Ω*m |
| 适用温度 |
以测量数据为准℃ |
颜色 |
未知 |
| 规格尺寸 |
不限mm |
|
定制化氮化铝2寸：1000元/100nm
定制化氮化铝4寸：1500元/100nm
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“第三代半导体”材料包括氮化镓(GaN) 、碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、金刚石和氧化锌（ZnO）。氮化铝（AlN）是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一，具有广阔的市场应用前景。
化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积等产品，亦可根据应用要求，进行定制化生长，有需要，欢迎联系。
关于企业
化合积电（厦门）半导体科技有限公司,是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底材料和基于GaN材料的电力电子、射频器件研发和生产的高科技企业。公司致力于为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”，通过不断的产品研发和技术创新，推动科技的发展和进步。主要产品包括：晶圆级金刚石衬底、金刚石热沉片、硅基氮化铝基板、GaN基HEMT、逆变器等。广泛应用于5G、快充、光伏、新能源汽车等领域。
创新研发掌握核心科技
研发实力位居全球前列，国际一流团队10余年技术积累，领衔建设高水平研究平台，汇聚来自全球半导体领域的科学家和资深工程师 ，攻克关键核心技术。
在厦门、首尔等地建立两大研发中心，拥有近1000平方米研发基地，全球的研发设备一应俱全，作为产学研合作标杆，行业前沿科技创新，获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号。
自主生产匠心品质
超3000平方米生产基地，智能制造设备确保品质，产品通过ISO9001质量管理体系认证，全方位确保客户售后无忧。
拥有MOCVD、PVD等国际一流设备20多台，是国内少数拥有完整半导体工艺链的平台之一。齐全的检测设备，100%检测，确保产品品质。
布局全球服务网络
立足厦门，构建全球销售服务总部和大型生产基地；建立上海、深圳两个办事处，高效便捷服务，赋能经济核心区；创设厦门、首尔两大研发中心支持全球客户技术和产品开发。
我们坚持以持续的技术创新为客户创造价值，秉持为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”理念，不断立足前沿，持续突破，工艺革新方向，在5G、快充、光伏、新能源汽车等领域，得到了行业头部重量级客户认可。
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