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| 品牌 |
DIODES |
封装 |
SMD |
| 批号 |
24+ |
数量 |
8000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
双极晶体管-双极结型晶体管(BJT) |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-223-3 |
| 晶体管极性 |
NPN |
配置 |
Single |
| 集电极—基极电压VCBO |
100V |
发射极-基极电压VEBO |
6V |
| 集电极—射极饱和电压 |
300mV |
最大直流电集电极电流 |
12A |
| Pd-功率耗散 |
3W |
增益带宽产品fT |
100MHz |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| 资格 |
AEC-Q101 |
直流电流增益hFE最大值 |
360at1A,2V |
| 技术 |
Si |
商标 |
DiodesIncorporated |
| 集电极连续电流 |
6A |
直流集电极/BaseGainhfeMin |
120at1A,2V |
| 产品类型 |
BJTs-BipolarTransistors |
工厂包装数量 |
2500 |
| 子类别 |
Transistors |
单位重量 |
112mg |
| 型号 |
DSS60601MZ4Q-13 |
|
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DSS60601MZ4Q-13 |
| 封装： | SMD |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 8000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-3 |
| 晶体管极性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 60 V |
| 集电极—基极电压 VCBO： | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO： | 6 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 300 mV |
| 最大直流电集电极电流： | 12 A |
| Pd-功率耗散： | 3 W |
| 增益带宽产品fT： | 100 MHz |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 直流电流增益 hFE 最大值： | 360 at 1 A, 2 V |
| 技术： | Si |
| 商标： | Diodes Incorporated |
| 集电极连续电流： | 6 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 120 at 1 A, 2 V |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 112 mg |
18926576168