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LT-1B高频光电导少数载流子寿命测试仪
LT-1B高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准（F28-75）及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥3Ω·cm，由于对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
（1）电阻率测量范围ρ≥3Ω·cm，寿命测试范围：5~10000μs
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间＜1μs
红外光源波长：1.06μm（测量硅单晶），如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源。
脉冲电源：5A～12A
（3）高频源
频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W
（4） 放大器和检波器
频率响应：2Hz～3MHz
寿命测试范围：5~10000μs
按测量标准对仪器设备的要求，本仪器设备配有：
（5）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
KSM单点式载流子寿命测试系统测量界面
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