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KDB-1A杂质浓度测试仪
原理：根据硅、锗单晶的迁移率、电阻率和杂质浓度的关系，可直接测量、计算出晶体内的杂质浓度。
用途：根据测量沿锭长杂质浓度的分布状况决定产品的合格部分，通过杂质浓度的直接测量，决定晶体生长过程中的掺杂数量。
样品可在常温或低温下测量。
显示方式：仪器连接PC机，通过专用测试软件计算，用对数坐标的方式来显示杂质浓度（含次方数）沿锭长的分布曲线，可对曲线图进行打印和保存。
（1）测量范围：
可测晶体电阻率：0.005-3000Ω·cm
（2）恒流源：
输出电流：DC0.001-100mA 五档连续可调
量程：0.001-0.01mA（1-10μA）
0.01-0.1mA（10-100μA）
0.1-1.0mA
1.0-10mA
10-100mA
恒流精度：各档均优于±0.05%
（3）直流数字电压表：
测量范围：0-199.99mV
灵敏度：10μA
基本误差：±（0.004%读数±0.01%满度）
输入阻抗：≥0.3%
（4）电阻测量误差：≤0.3%
（5）供电电源：
AC 220V ±10% 50/60Hz. 功率：12W
（6）使用环境：
温度：23±2℃ 相对温度：≤65%
无较强的电场干扰，无强光直接照射。
（7）重量、体积：
主机重量：6.5kg
体积：420（含前把手）×360×150（含底脚）（单位：mm 长度×宽度×高度）
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