WJ-100C微波光电导载流子复合 寿命测试仪 寿命仪

　　WJ-100C微波光电导载流子复合寿命测试仪

　　WJ-100系列微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准MF1535-0707及国家标准GB/T 26068-2010设计制造。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，更适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。

　　微波反射光电导衰退法，简称μPCD（Microwave photoconductivity decay）。此方法包括均匀掺杂的抛光N型或P型硅片与载流子复合过程相关的载流子寿命的测量。只要电导率检测系统的灵敏度足够，本测量方法也可应用于测量切割、研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。

　　（1）寿命测量范围：0.25μs～10ms，电阻率下限≥0.5Ω·cm，尚未发现电阻率测量上限

　　（2）型号：N型或P型单晶或铸造多晶

　　（3）校核片固定测量点重复性优于5%

　　（4）校核样品测量精度优于10%

　　（5）微波频率：10GHz

　　（6）光源脉冲宽度：200ns

　　（7）红外光源波长：0.904～0.905μm，采用进口德国光源及驱动器

　　（8）工作电源：～220V 50Hz 功耗≤40W

　　（9）工作条件：工作温度23±2℃，相对湿度小于65%，室内环境清洁，无灰尘，无强磁场干扰，无妨碍仪器正常工作的震动

　　（10）WJ-100C型为双探头，一个为固定探头，一个为可移动探头，可以切换使用，可用于测硅片、硅锭、块状样品的测量

　　（11）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。

KSM单点式载流子寿命测试系统测量界面