联系人:筱晓光子-关经理
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| 品牌 |
筱晓上海光子 |
型号 |
InGaAs0.9-1.7 |
| 半导体材料 |
硅 |
|
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)
InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

光谱响应900-1700nm响应度@1550nm 0.85 A/W技术参数
线性模式参数
| 产品型号
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IGA-APD-GM104-R
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参数
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符号
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单位
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测试条件
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最小
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典型
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反向击穿电压
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VBR
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V
|
22℃±3℃ ,ID =10μA
|
60
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80
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90
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|
响应度
|
Re
|
A/W
|
22℃±3℃ ,λ =1550nm ,M =1
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0.8
|
0.85
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|
|
暗电流
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ID
|
nA
|
22℃±3℃ ,M =10
|
|
0.1
|
0.3
|
|
电容
|
C
|
pF
|
22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz
|
|
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0.25
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击穿电压温度 系数
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η
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V/K
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-40℃ ~80℃,ID =10μA
|
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0.15
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盖革模式参数
TO46 (尾纤封装)
产品应用
● 弱光探测
● 量子保密通信
● 生物医疗