硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm 感光直径1.0mm

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm 感光直径1.0mm

价格 1.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 Hamamatsu 滨松 日本
型号 C12702-03
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筱晓(上海)光子技术有限公司
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半导体激光器

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产品详情
型号

C12702-03

半导体材料

封装方式

金属外壳封装

  总览

  APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。

  C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

  通用参数

  特点

  使用高灵敏度Si APD。有四种类型,具有不同的光谱响应范围和感光区域。

  针对APD评估优化的高灵敏度检测板。APD和高速电流电压放大器电路安装在紧凑的电路板上。高速电流-电压放大器电路具有低噪声配置,是APD信号读出的理想选择,工作速度快,灵敏度高。

  易于操作,单个5 V电源操作

  内置温度补偿偏置电压电路通过热传感器控制偏置电压,以保持APD增益恒定。增益稳定到±2.5%典型值。在25±10°C的环境温度下,通常高压电源固有的波纹噪声也被最小化。

  小巧轻便

  电路板大小不超过名片大小,重量仅37克。

  定制设计的模块具有不同的尺寸和规格

  产品应用

  APD评估

  空间透光条形码阅读器

  激光雷达

  光学测距仪

  光通信

  型号参考

  Type no.

  

  感光面积(mm)

  

  频率带宽-3 dB(Hz)

  

  Type of APD

  

  峰值灵敏度波长(nm)

  

  C12702-03

  

  ?1.0

  

  4 k to 100 M

  

  Standard type

  

  800

  

  C12702-04

  

  ?3.0

  

  4 k to 80 M

  

  C12702-11

  

  ?1.0

  

  4 k to 100 M

  

  Short-wavelength type

  

  620

  

  C12702-12

  

  ?3.0

  

  4 k to 40 M

  

  注意:装运前,增益(M)预设为30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)

  结构/juedueizueida额定值

  Type No.

  

  感光面积(mm)

  

  电源电压 V

  

  Current consumption

  (mA)消耗电流

  

  电路板尺寸

  (mm)

  

  输出阻抗

  (Ω)

  

  Weight (g)

  

  Absolute maximum ratings juedueizueida额定值

  

  Supply voltage

  (V)

  

  Maximum Incident light level

  (mW)

  入射光水平

  

  工作温度Topr

  (°C)

  

  储存温度Tstg

  (°C)

  

  Min.

  

  Typ.

  

  Max.

  

  Typ.

  

  Max.

  

  C12702-03

  

  ?1.0

  

  +4.75

  

  +5

  

  +5.25

  

  +50

  

  +80

  

  80 × 50 × 22

  

  50

  

  37

  

  +7

  

  10

  

  0 to +60

  

  -20 to +70

  

  C12702-04

  

  ?3.0

  

  C12702-11

  

  ?1.0

  

  C12702-12

  

  ?3.0

  

  注:即使是暂时超过zueida额定值,也可能导致产品质量下降。始终确保在juedueizueida额定值范围内使用产品。

  电气和光学特性(典型Ta=25°C,Vcc=5 V,除非另有说明)

  

  

  

  

售后服务

商家电话:
13061644116