硅Si高性能雪崩光电二极管 APD 400-1000nm TO-18

　　总览

　　C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

　　器件的响应度与约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。

　　C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。

　　Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。

　　C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。

　　C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。

　　光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。

　　主要特征

　　高量子效率：在830 nm时为77%

　　C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行

　　C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器

　　C30902BH型，带球形透镜

　　密封包装

　　室温下的低噪音

　　高响应度–内部雪崩增益超过150

　　光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米

　　时间响应–通常为0.5纳秒

　　宽工作温度范围-40°C至+70°C

　　符合RoHS标准

　　应用

　　?激光雷达

　　?测距

　　?小信号荧光

　　?光子计数

　　?条形码扫描