联系人：筱晓光子-关经理
邮箱：moli@microphotons.com
电话：13061644116
地址： 上海青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
| 型号 |
IRPD5521Y-1.25-P-T-PG |
数量 |
1 |
IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-1600nm)
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
技术参数
| 参数名称
|
符号
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测试条件
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最小
|
典型Typ.
|
|
单位
|
|
TIA工作电流
|
ICC
|
Vcc=3.3V
|
-
|
44
|
59
|
mA
|
|
反向击穿电压1）
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VBR
|
ID=100μA
|
35
|
-
|
55
|
V
|
|
VBR温度系数
|
σ
|
γ= dVBR/dTC
|
-
|
0.1
|
0.15
|
V/℃
|
|
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5
|
ZT
|
Pin=-30dBm， RL=100Ω,
|
54 26 3.6
|
kΩ
| ||
|
-3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5
|
f-3dB
|
Pin=-30dBm
|
100 1000 2000
|
MHz
| ||
|
响应度
|
Re
|
M=1 , λ = 1.55μm
|
0.85
|
0.95
|
-
|
A/W
|
|
输出阻抗
|
ZO
|
Single ended
|
-
|
50
|
70
|
Ω
|
|
灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P
|
PS
|
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop
|
-47 -39 -35 -28 -34 -26
|
－
|
－
|
dBm
|
|
过载功率 APD PIN
|
PMAX
|
-5 +3
|
-
|
-
|
dBm
| |
|
光回损
|
Lo
|
λ = 1.55μm
|
-
|
-
|
-30
|
dB
|
|
备注：1）仅适用于APD探测器
| ||||||
产品特点
● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高灵敏度
● 工作波长范围：1260~1650nm
● 单电源供电
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准
● RoHS认证RoHS compliant
通用参数
引脚定义
| 引脚编号
|
引脚功能说明
|
引出端符号
|
|
1
|
信号正输出端
|
Vout+
|
|
2
|
信号负输出端
|
Vout
|
|
3
|
接地
|
-GND (case)
|
|
4
|
放大器电源
|
VCC
|
注意事项
a.严格按照引脚说明连接，输出AC耦合时，差分负载应为100Ω
b. 贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施。
c.器件属于高电压工作器件，使用时应采取适当的设计和措施避免人体受到伤害。
产品应用
● 无源光网络与SDH/SONET传输系统
● 吉比特以太网与光纤信道
● 其它应用Other application
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