联系人：筱晓光子-关经理
邮箱：moli@microphotons.com
电话：13061644116
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| 型号 |
IRD-IGS-10 |
数量 |
1 |
筱晓光子 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管（900-1800nm，直径10mm)
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
光谱响应900-1700nm
感光规格10mm ?
响应度@1550nm: 0.95 A/W
产品特点
● 10mm超大光敏面
● 900nm to 1700nm 光谱响应
● 高线性 > 10 dBm
● —正照平面型芯片结构
● 光敏面积大、低暗电流
通用参数
技术参数
| 特性参数
|
符号
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
|
单位
|
|
光谱响应范围
|
λ
|
—
|
900～
|
nm
| ||
|
光敏面直径
|
φ
|
—
|
10
|
mm
| ||
|
响应度
|
Re
|
VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw
|
0.85
|
—
|
—
|
A/W
|
|
VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw
|
0.95
|
—
|
—
| |||
|
响应时间
|
tS
|
VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz
|
—
|
8
|
20
|
μs
|
|
总电容
|
C
|
VR=5V,f=1KHz
|
—
|
3
|
10
|
nF
|
|
暗电流
|
ID
|
VR=5V,φe=0
|
—
|
25
|
100
|
nA
|
|
分流阻抗
|
Rsh
|
VR=10mV
|
10
|
—
|
—
|
MΩ
|
极限值
产品应用
● 激光功率计
● LED/LD老化诊断
● 光谱学
● LED/LD特性
● 眼睛安全激光检测传感器
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