联系人：筱晓光子-关经理
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电话：13061644116
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| 型号 |
GE-10X10-TO9 |
数量 |
1 |
筱晓光子 Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
技术参数
产品特点
● 小光敏面大光敏面可选 (100μm to 25mm)
● 800nm to 1800nm 光谱响应
● 高线性 > 10 dBm
● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
引脚定义
产品应用
● 激光功率计
● LED/LD老化诊断
● 光谱学
● LED/LD特性
● 眼睛安全激光检测传感器
| 产品规格
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探测材料
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Ge
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响应波长
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800 - 1800 nm
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峰值波长
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1550 nm (Typ.)
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响应度
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0.85 A/W (Typ.)
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光敏面直径
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78.5 mm2 (?10mm)
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上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)
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500 ns / 500 ns (Typ.)
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NEP, Typical (1550 nm)
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4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)
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暗电流 (5 V)
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60 μA (Max.)
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电容(10 V) 电容(0 V)
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1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)
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分流电阻
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4000 Ohm (Typ.)
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封装形式
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TO-9
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额定值
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击穿打压
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10 V
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操作温度
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-55 to 60 °C
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存储温度
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-55 to 60 °C
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备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明
2、NEP在光伏模式下
光谱响应曲线：
推荐电路：
13061644116