联系人：筱晓光子-关经理
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| 品牌 |
OVQT-A200M50 |
型号 |
OVQT-A200M50 |
| 材质 |
金属 |
类型 |
探测器 |
| 加工定制 |
否 |
是否进口 |
是 |
总览
高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装， 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。
大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版 光敏面直径200um 增益50）,大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版 光敏面直径200um 增益50）产品特点
光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm
光敏面直径 200μm
高响应度、低暗电流
高可靠性
产品应用
人眼安全激光雷达、激光测距
光时域反射计(OTDR)
空间光通信
仪器仪表
光纤传感
通用参数
使用注意事项
采取必要的ESD 防护措施，以避免静电损伤
InP 基的芯片易碎，取用时应注意操作，推荐用真空吸附工具
芯片级光电参数
| 产品型号
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OVQT-A200M50
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参数
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符号
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单位
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测量条件
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最小
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典型
|
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|
光敏面直径
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Φ
|
μm
|
-
|
200
| ||
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单位增益响应度
|
Re
|
A/W
|
λ = 1.55μm, Pin = 1 μW
|
0.95
|
1.05
|
-
|
|
增益
|
M
|
-
|
VR =VBR -3V
|
10
|
18
|
-
|
|
增益
|
Mmax
|
-
|
VR =VBR - 1V
|
45
|
50
|
-
|
|
暗电流
|
ID
|
A
|
VR =VBR -3V
|
-
|
6.0
|
25
|
|
暗电流温度系数
|
ΔTID
|
/℃
|
VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃
|
-
|
-
|
1.1
|
|
电容
|
Ct
|
F
|
VR =VBR-3V, f=1MHz
|
-
|
2.0
|
2.5
|
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| ||||||
13061644116