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IRD-IGS-10 超大光敏面铟镓砷光电二极管(10mm) 近红外波长
产品描述:
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在 有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
产品特点:
10mm超大光敏面
900nm to 1700nm 光谱响应
高线性 > 10 dBm
—正照平面型芯片结构
光敏面积大、低暗电流
技术参数:
光谱响应曲线:
封装尺寸及引脚定义:
极限值:
13061644116