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| 型号 |
SLD-1000-100-PM-25 |
封装方式 |
金属外壳封装 |
总览
Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二极管 是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二极管不同，反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。
SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上（这是发射的光波随时间保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是一个经常用来表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪两臂之间的路径差有关，在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。
一方面，SLD是经过优化以产生大量放大自发发射（ASE）的半导体器件。为了做到这一点，它们结合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不可能发生激光作用。通过使小面相对于波导倾斜来抑制从光学部件（例如连接器）到腔中的光的背反射产生的光学反馈，并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成，从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。
型号参数
产品特点:
超宽带ASE光谱(950-1050nm)
低纹波
强偏振
单独老化和热循环筛选
符合RoHS
应用:
光纤传感器
仪器仪表
光谱学
| 规格 测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上
| |||||
|
参数
|
符号.
|
最小值.
|
典型值.
|
Max值.
|
单位
|
|
工作输出功率
|
Pout
|
15
|
25
|
|
mW
|
|
平均波长
|
λm
|
985
|
1000
|
1015
|
nm
|
|
带宽 @ -3dB
|
Δλ
|
80
|
100
|
|
nm
|
|
谱倾角振幅
|
|
|
1
|
3
|
dB
|
|
基态zueida位置
|
λg
|
1015
|
1030
|
1045
|
nm
|
|
激发态zueida位置
|
λe
|
940
|
955
|
970
|
nm
|
|
ASE谱波纹*
|
|
|
0.02
|
0.3
|
dB
|
|
偏振消光比
|
PER
|
15
|
20
|
|
dB
|
|
操作电流
|
Iop
|
|
600
|
700
|
mA
|
|
正向电压
|
Vf
|
|
1.7
|
1.9
|
V
|
|
上升时间
|
Trise
|
|
0.15
|
|
ns
|
|
下降时间
|
Tfall
|
|
0.5
|
|
ns
|
* RMS在1nm范围在ASEmax，10pm分辨率
典型性能仅供参考
测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上
| juedueizueida额定参数
| |||
|
参数
|
最小值
|
Max值
|
单位
|
|
SLD 反向电压
|
-
|
2
|
V
|
|
SLD 连续波正向电流
|
-
|
900
|
mA
|
|
热电冷却器电流
|
-
|
3
|
A
|
|
热电冷却器电压
|
-
|
4
|
V
|
|
光纤弯曲半径
|
3
|
-
|
cm
|
|
芯片工作温度范围
|
5
|
40
|
°C
|
|
外壳工作温度
|
0
|
70
|
°C
|
|
存储温度范围
|
-40
|
85
|
°C
|
13061644116