ALPHLAS UPD超快光电探测器响应波段500-1690nm ,小于40ps上升沿时间,材料InGaAs
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm High amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm Low amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm High amp)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (9x9mm High amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (9x9mm Low amp 高位置分辨率版本)
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| 品牌 |
VIGO System S.A. 波兰 |
型号 |
MCT-PEMI-10.6-2×2 |
| 材质 |
金属 |
|
总览
PEMI系列是一款基于光电磁效应的MCT红外光伏探测器，并且采用光学浸没的方式提高探测器的性能。光入射会使探测器内部半导体产生的电子空穴对在磁场的作用下移动。该器件在10.6 μm处探测性能佳，是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测器被安装在内部含有磁性电路的特殊包装中。3°楔形硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗户，可以防止不必要的干扰影响和污染。
型号参数
产品特点
光谱范围从 2.0 到 12.0 μm
环境温度操作
无需偏见(No bias required)
没有 1 / f 噪音(No 1/f noise)
从直流到高频的操作
对红外辐射极化敏感
产品应用
● 医学热成像
● 红外光谱分析
● 中红外气体吸收检测
● 中红外激光探测
| 参数
|
探测器型号
| |
|
PEMI-10.6
| ||
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有源元件材料
|
外延MCT异质结构
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波长λopt（μm）
|
10.6
| |
|
相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W
|
≥1.6×108
| |
|
相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W
|
≥1×108
| |
|
电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W
|
≥0.01
| |
|
时间常数T，ns
|
≤1.2
| |
|
电阻R,Ω
|
40-100
| |
|
感光面尺寸A,mm×mm
|
1×1,2×2
| |
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封装
|
PEM-SMA
|
PEM-TO8
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|
接收角?
|
～36°
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窗口
|
wZnSeAR
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SMA型尺寸
| 参量
|
数值
| |
|
浸没微型透镜形状
|
超半球形
| |
|
光学区域面积AO；mm×mm
|
1×1
|
2×2
|
|
R,mm
|
0.8
|
1.25
|
|
A,mm
|
9.3±0.40
|
10.65±0.40
|
备注：
?—接收角度；
R—超半球微型透镜半径
A—从PEM-SMA盖子顶部到焦平面的距离
TO8封装尺寸图
| 参量
|
数值
| |
|
浸没微型透镜形状
|
超半球形
| |
|
光学区域面积AO；mm×mm
|
1×1
|
2×2
|
|
R,mm
|
0.8
|
1.25
|
|
A,mm
|
4.75±0.30
|
3.4±0.40
|
备注：
?—接收角度；
R—超半球微型透镜半径
A—从PEM-TO8头部下表面到焦平面的距离
TO8引脚定义
| 功能
|
引脚号
|
|
探测器
|
1,3
|
|
接地
|
11
|
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未使用
|
2, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12
|
使用和储存注意事项
?在 10% 至 80% 的湿度和 -20°C 至 30°C 的环境温度下运行。
?光束功率限制：?CW 或单脉冲的辐照度必须大于 1 μs 对表观光学有效区域的辐照度不超过 100 W/cm2，
?短于 1 μs 的脉冲辐照度不得超过 1 MW/cm2。
?存放在 10% 至 90% 湿度和 -20°C 至 50°C 环境温度的暗处。
?饱和吸收功率 ~200 mW.
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