大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片高增益版光敏面直径200um

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产品详情

品牌	OVQT-A200M50	型号	OVQT-A200M50
材质	金属	类型	探测器
加工定制	否	是否进口	是

　　总览

　　高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装，接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。

　　大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版光敏面直径200um 增益50）,大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片（高增益版光敏面直径200um 增益50）产品特点

　　光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm

　　光敏面直径 200μm

　　高响应度、低暗电流

　　高可靠性

　　产品应用

　　人眼安全激光雷达、激光测距

　　光时域反射计(OTDR)

　　空间光通信

　　仪器仪表

　　光纤传感

　　通用参数

　　使用注意事项

　　采取必要的ESD 防护措施，以避免静电损伤

　　InP 基的芯片易碎，取用时应注意操作，推荐用真空吸附工具

　　芯片级光电参数

　　产品型号

　　OVQT-A200M50

　　参数

　　符号

　　单位

　　测量条件

　　最小

　　典型

　　光敏面直径

　　μm

　　200

　　单位增益响应度

　　A/W

　　λ = 1.55μm, Pin = 1 μW

　　0.95

　　1.05

　　增益

　　VR =VBR -3V

　　增益

　　Mmax

　　VR =VBR - 1V

　　暗电流

　　VR =VBR -3V

　　6.0

　　暗电流温度系数

　　ΔTID

　　/℃

　　VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃

　　1.1

　　电容

　　VR =VBR-3V, f=1MHz

　　2.0

　　2.5

大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片高增益版 光敏面直径200um

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