热红外辐射暴露性能检测_红外加热装置检测_光辐射安全_宏标检测

　　本部分规定了通常由红外发射器产生的红外辐射在装置内明显超过热对流和热传 导.作为传热方式，向被处理材料传递能量的工业电热设备和装置的安全要求。本范围的进一步限制是在 空气或真空中光谱辐射波长在780 nm以上，且通过诸如热辐射或高压电孤发射宽波段连续光谱 的红外发射器。

　　将红外定义为频率范围在大约400 THz?300 GHz之间的光学辐射。在真空 中的对应波长范围在780 nm?10 μm工业红外加热通常使用额定温度在500 °C?3 000 °C的红外 源.从这些红外源发出的辐射主要位于780 nm?10 μm的波长范围内。

　　由于大量的热发射器的发射波长可能低于780 nm或高于3 000 nm,所以本部分同样考虑了可见 光和波长超过3 000 nm的辐射的安全方面的问题。

　　本部分不适用于：

　　一以激光或发光二极管(LED)作为主要辐射源的红外装置——GB/T 20145—2006及 IEC 60825-1:2014〔幻适用于此类装置；

　　一公用电器用具；

　　——实验室用电器用具一一IEC 61010-1:2010⑶适用于此类器具；

　　―电阻加热裸导线、电热管或电热棒作为加热元件，且红外辐射并非预期应用中占支配地位的副 作用的电热装置，由GB 5959.4—2008^规定；

　　——所有红外发射器的标称总功率小于250 W的红外加热设备；

　　——手持红外设备。

　　本部分范围内的工业红外电热设备通常利用焦耳效应?通过一个或多个辐射源.将电能转化为红外 辐射.然后从一个或多个元件将辐射发射到被处理的材料上。以下红外加热元件更是如此：

　　一内部具有电阻元件的管状、板状或其他形状的陶瓷热红外发射器；

　　-以高温灯丝作为辐射源的红外石英玻璃管或卤素灯发射器；

　　—由二硅化钥、碳化硅、石墨、铁铭铝合金、耐火金属或类似材料制成的非绝缘元件；

　　-宽光谱电弧灯。

　　红外辐射 infrared radiation

　　波长大于可见辐射波长的光学辐射。

　　注1： 780 nm?1 mm范闱内的红外辐射通常分为：

　　IR-A：780 nm?1 400 nm,或者表面温度在3 450 °C?1 800 P的灰体发射器；

　　IR-BJ 400 nm?3 000 nm,或者表面温度在1 800 C?690 I的灰体发射器；

　　IR-C：3 000 nm?1 mm.或者表面温度低于690 t的灰体发射器。

　　温度与边界波长下的强度光谱相对应。

　　上述范闱与GB/T 20145—2006 一致。

　　注2：在GB/T 2900.83 2008中定义了下列术语：

　　841-24-04：短波红外辐射或近红外辐射（780 nm~2 μm）；

　　841-24-03：中波红外辐射或中红外辐射（2μm?4 pmμm）；

　　841-24-02：长波红外辐射或远红外辐射（4μm ?1 mm）。

　　降低红外辐射危险的步骤

　　如果设备在其生命周期内的某些阶段会产生危险的红外辐射，则应使用表AA.1中给出的步骤进 行风险评估和风险降低。

　　通过技术手?段评估和降低设备的人员辐射暴露程序,取决于产品是的定制装置还是重复生产 的。重复生产的设备和定制设备通常在设计过程中差别很大。对定制设备，制造商和用户通常仅需在 设计过程中就设计共同达成一致。因此在这种情况下.对设计决策的责任由制造厂和用户之间共担。

　　如果辐射暴露仅发生于试运行或维护阶段，并且通过组织措施就能防止危害发生.则表AA.1不适用,但分类和归档仍遵循本部分