日本shinkuu贵金属溅射成膜设备MSP-20UM

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日本shinkuu贵金属溅射成膜设备MSP-20UM

该装置是在电子显微镜样品上涂敷贵金属薄膜并进行导电处理的装置。搭载大气气体导入机构、气体大气压调整功能、电流调整功能，可用于各种用途。此外，还可以根据条件设置自动进行一系列涂装操作。可将杂质混入降至最低限度的旁通排气系统和防止误动作的联锁装置齐全，并可选择提高环绕性能的倾斜旋转机构。

SEM观察样品的导电处理。为FIB制作保护膜。用于元素分析的导电处理。
此外，还用于制作电极、制作抗氧化膜等广泛的用途。

?日本shinkuu贵金属溅射成膜设备MSP-20UM

物品	规格
电源	AC100V（单相100V15A）1口使用3芯插头带地线
设备尺寸	宽 350 毫米 x 深 420 毫米 x 高 347 毫米（设备重量 18 公斤）
旋转泵	排气速度 50? / min (GLD-051) 重量14.6kg
样品室尺寸	内径 149 毫米 x 高 82 毫米（硬玻璃）
电极样品台间距	40mm
样品台尺寸	Φ50mm（浮动方式） * 使用可选倾斜旋转时倾斜角度：0 至 45° 旋转速度：60 rpm
可安装的样品尺寸	标准：≤Φ50mm，高度≤20mm *使用可选倾斜旋转时：倾斜时：≤Φ20mm，高度≤20mm
飞溅靶金属规格	Φ51 mm, 厚度 0.1 mm (Ag only 0.5 mm) Pt, Au, Au-Pd, Pt-Pd, Pd, Ag
大气气体	Air（空气）或 Ar（氩气）

日本shinkuu溅射导电检测装置MSP-20TK

该装置是在电子显微镜样品上涂敷金属薄膜并进行导电处理的装置。它具有不需要复杂操作程序的可操作性。
钨主要用作靶材，还有许多其他特殊金属可以镀膜。
电极采用风冷磁控管方式，可实现特殊金属的低压镀膜。（因为气体中包含的电子在磁控管中移动，大大提高了电离效率。）它有助于大幅度减少样品损坏。

氩气
二次压力0.05MPa-0.08MPa，连接1/4英寸Swagelok

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与铂粒子（左）相比，钨粒子（右）非常细小，支持在高倍率区域（200,000 倍以上）进行观察。

物品	规格
电源	AC100V, 15A 带地线 3芯插头使用3m
设备尺寸	宽 354，深 368 毫米，高 430 毫米（设备重量 22 公斤）
旋转泵	排气速度50?/min (GLD-051) (重量14.6kg)
样品室尺寸	内径 149 毫米，深度 126 毫米
样品台	Φ47mm浮法
目标样本间距	50mm-70mm
可安装的样品尺寸	Φ45mm，高度30mm以下
目标	W（标准）、Mo、Cr、Ni、Cu、Ta、Ti 等贵金属靶材（使用磁场抵消 Ni 板） Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、Pd、Ag

日本shinkuu磁控溅射沉积装置MSP-40T

本装置是一种多用途简易操作型磁控溅射沉积装置。它是一种小型桌面型和小空间设备，可以在强磁场下沉积各种金属。

关于所需的实用程序
氩气
二次压力0.05MPa-0.08MPa，连接1/4英寸Swagelok

水冷机制
流量 1 升/分钟，连接 Φ6 mm
需要世伟洛克冷却水循环装置或自来水连接。

主要产品规格

物品	规格
电源	AC100V（单相100V）15A 3芯插头带地线
设备尺寸	宽 504 毫米，深 486 毫米，高 497 毫米（设备重量 37.7 公斤）
隔膜泵	宽 170 毫米，深 287 毫米，高 173 毫米（重量 6.5 公斤）
样本表大小	直径50mm（阳极分离浮法）
电极样品台间距	115 mm、95 mm、70 mm （包括样品台高度）
目标金属	ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳等贵金属靶材（使用磁场抵消镍板） Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、钯、银