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| 品牌 |
恩智浦 |
型号 |
MRF5P21240HR5 |
| 制造商 |
NXP/恩智浦 |
产品种类 |
射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
技术 |
Si |
| Id-连续漏极电流 |
2.2A |
Vds-漏源极击穿电压 |
65V |
| 工作频率 |
2.11GHzto2.17GHz |
增益 |
13dB |
| 输出功率 |
52W |
最小工作温度 |
-65C |
| 最大工作温度 |
+150C |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
NI-1230-5 |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Dual |
高度 |
5.08mm |
| 长度 |
41.28mm |
Pd-功率耗散 |
603W |
| 产品类型 |
RFMOSFETTransistors |
类型 |
RFPowerMOSFET |
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