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| 品牌 |
ON |
型号 |
FQB12P20TM |
| 封装/规格 |
TO-263 |
晶体管类型 |
P通道 |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
包装 |
卷 |
| 最小包装量 |
800 |
技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） |
200V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
11.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） |
10V |
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） |
470毫欧@5.75A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
5V@250µA |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） |
40nC@10V |
| Vgs（最大值） |
±30V |
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