BLF246B,112 SOT-161A 恩智浦 晶体管 RF FET MOSFET 原装供应
NDFP03N150CG ONSEMI 场效应管 1.5kV 2.5A 2W 10.5Ω @10V,1A N沟道
FDS86242 SOP8 ON 晶体管 MOSFET 单 FET 2年内批次 原装长期供应
BSC093N15NS5 TDSON8 INFINEON 晶体管 单 FET MOSFET 2年内批次 原装供应
IXTP80N10T TO-220 IXYS 晶体管MOSFET 单 FET 2年内批次 原装长期供应
IXFK180N15P TO-264 IXYS 晶体管FET MOSFET 2年内批次 原装正品供应
联系人:程先生
邮箱:
电话:13538158867
地址: 中国 广东 深圳市上步工业区-501栋406
| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRF7341TRPBF |
| 类型 |
HEXFET® |
工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
| 封装/规格 |
SOP-8 |
包装 |
编带 |
| 最小包装量 |
4000 |
TYPE |
DESCRIPTION |
| Category |
FET、MOSFET阵列 |
制造商 |
InfineonTechnologies |
| 配置 |
2N-通道(双) |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
| FET功能 |
逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) |
55V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
4.7A |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) |
50毫欧@4.7A,10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
1V@250µA |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) |
36nC@10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) |
740pF@25V |
功率-最大值 |
2W |
| 封装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
|








