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| 品牌 |
InfineonTechnologies |
型号 |
IPB072N15N3GATMA1 |
| 封装/规格 |
HVSSOP-8 |
包装 |
编带 |
| 最小包装量 |
1000 |
类型 |
表面贴装型N通道150V100A（Tc）300W（Tc）PG-TO263-3-2 |
| 类别 |
TransistorsFETs,MOSFETs晶体管-FET，MOSFET-单个 |
制造商 |
InfineonTechnologies |
| 系列 |
OptiMOS™ |
FET类型 |
N通道 |
| 技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
漏源电压（Vdss） |
150V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
100A（Tc） |
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） |
8V，10V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） |
7.2毫欧@100A，10V |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4V@270µA |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） |
93nC@10V |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） |
5470pF@75V |
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13538158867