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BBO电光普克尔盒（用于激光器）
当电压施加到诸如BBO的电光晶体的电极上时，泡克耳斯盒用于改变通过它的光的偏振态。
?
特征：
小的压电振铃
o低吸收
o陶瓷孔径是可利用的
o宽广的传输范围从200纳米到2000纳米
紧凑的尺寸
应用：
o高重复率DPSS Q开关
o高重复率再生放大器控制
o腔倾倒
o光束斩波器
当电压施加到诸如BBO的电光晶体的电极上时，泡克耳斯盒用于改变通过它的光的偏振态。当与起偏器一起使用时，普克尔斯盒可以用作快速光开关。典型的应用包括激光腔的Q开关，激光腔倾倒以及耦合入再生放大器的光。
?BBO电光普克尔盒（用于激光器）
基于BBO的普克尔斯盒可用于从紫外线到2微米以上的波长。低压电振铃使得这些普克尔盒对于高功率和高脉冲重复率激光器的控制具有吸引力。与电池匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关，腔体倾倒和其他应用。 PCB系列的普克尔盒是横向的现场设备。 BBO的低电光系数导致高工作电压。四分之一波长电压与电极间距和晶体长度的比例成正比。结果，较小的孔径器件具有较低的四分之一波长，然而即使对于2.5mm的孔径器件，四分之一波长电压也高达4kV @ 1064nm。采用双晶体设计来降低所需电压，并允许以快速开关时间在半波模式下工作。
型号 |
PCB3S |
PCB3D |
PCB3S/25 |
PCB3D/25 |
PCB4S |
PCB4D |
通光孔径，mm |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
3.5 |
3.5 |
晶体大小，（HxL）毫米 |
3x3x20 |
3x3x20 |
3x3x25 |
3x3x25 |
4x4x20 |
4x4x20 |
晶体数量 |
1 |
2 |
1 |
2 |
1 |
2 |
λ/ 2电压1064nm，kV DC |
<3.5 |
<1.8 |
<3.0 |
<1.5 |
<4.6 |
<2.3 |
电容，pF |
4 |
6 |
4 |
6 |
3 |
6 |
光传输，％ |
>98 |
>98 |
>98 |
>98 |
>98 |
>98 |
对比度 |
>1:1000 |
>1:500 |
>1:1000 |
>1:500 |
>1:1000 |
>1:500 |
细胞大小，毫米 |
?25.4x37.2 |
?25.4x57.2 |
?25.4x42.2 |
?25.4x67.2 |
?25.4x37.2 |
?25.4x57.2 |
对于普克尔盒上述晶体涂层Ar/39Ar @ 1064 nm。其他抗反射涂层可根据要求提供。10 ns脉冲在1064 nm处的损伤阈值＞5。
型号 |
PCB3S-1342 |
PCB3D-800 |
PCB3S-532 |
通光孔径，mm |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
晶体大小，（HxL）毫米 |
3x3x20 |
3x3x20 |
4x4x20 |
晶体数量 |
1 |
2 |
1 |
λ/ 2电压1064nm，kV DC |
<2.4 |
<2.6 |
<2.25 |
电容，pF |
1342 |
800 |
532 |
光传输，％ |
4 |
6 |
4 |
对比度 |
>98 |
>98 |
>98 |
细胞大小，毫米 |
>1:500 |
>1:1000 |
>1:1000 |
?25.4x57.2 |
?25.4x37.2 |
?25.4x37.2 |
1）用正交偏光镜法测量
规格如有变更，不另行通知。
BBO电光细胞1040～1070 nm范围内，与主机的高功率和高重复率激光器
型号 |
通光孔径 |
四分之一波电压* |
中心波长 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1064 |
? 2.5 mm |
<1.8 kV DC |
1064 nm |
PCB3S-C-1064 |
? 2.5 mm |
<3.5 kV DC |
1064 nm |
PCB4D-C-1064 |
? 3.5 mm |
<2.3 kV DC |
1064 nm |
PCB4S-C-1064 |
? 3.5 mm |
<4.6 kV DC |
1064 nm |
PCB3D/25-C-1064 |
? 2.5 mm |
<1.5 kV DC |
1064 nm |
PCB3S/25-C-1064 |
? 2.5 mm |
<3.0 kV DC |
1064 nm |
PCB6.3S-C-1064 |
? 5.8 mm |
<7.5 kV DC |
1064 nm |
PCB6.3D-C-1064 |
? 5.8 mm |
<3.8 kV DC |
1064 nm |
BBO电光为1020-1040 nm范围内的细胞，镱主机飞秒激光器
型号 |
通光孔径 |
四分之一波电压* |
中心波长 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1030 |
? 2.5 mm |
<1.7 kV DC |
1030 nm |
PCB3S-C-1030 |
? 2.5 mm |
<3.4 kV DC |
1030 nm |
PCB4D-C-1030 |
? 3.5 mm |
<2.2 kV DC |
1030 nm |
PCB4S-C-1030 |
? 3.5 mm |
<4.5 kV DC |
1030 nm |
PCB3D/25-C-1030 |
? 2.5 mm |
<1.4 kV DC |
1030 nm |
PCB3S/25-C-1030 |
? 2.5 mm |
<2.9 kV DC |
1030 nm |
PCB6.3S-C-1030 |
? 5.8 mm |
<7.4 kV DC |
1030 nm |
PCB6.3D-C-1030 |
? 5.8 mm |
<3.75 kV DC |
1030 nm |
BBO电光为770-820 nm范围内，细胞钛：蓝宝石飞秒激光器
型号 |
通光孔径 |
四分之一波电压* |
中心波长 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-800 |
? 2.5 mm |
<1.3 kV DC |
800 nm |
PCB3S-C-800 |
? 2.5 mm |
<2.6 kV DC |
800 nm |
PCB4D-C-800 |
? 3.5 mm |
<1.7 kV DC |
800 nm |
PCB4S-C-800 |
? 3.5 mm |
<3.4 kV DC |
800 nm |
PCB3D/25-C-800 |
? 2.5 mm |
<1.1 kV DC |
800 nm |
PCB3S/25-C-800 |
? 2.5 mm |
<2.1 kV DC |
800 nm |
自定义普克尔单元库存
型号 |
通光孔径 |
四分之一波电压* |
中心波长 |
|---|---|---|---|
PCB3D-C-1342 |
? 2.5 mm |
<2.4 kV DC |
1342 nm |
PCB4S-C-532 |
? 3.5 mm |
<2.25 kV DC |
532 nm |
*在中心波长处计算直流电压的四分之一波长电压。 脉冲工作电压通常高达10％。
高于标准的BBO普克尔斯单元具有直径等于晶体通光孔径的保护性陶瓷孔。 可以去除陶瓷孔以获得电光晶体的全开口。
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