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| 品牌 |
onsemi |
型号 |
FGA25N120ANTDTU |
| 数量 |
2000 |
封装 |
TO-3P-3 |
| 批号 |
22+ |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO |
1200V |
集电极—射极饱和电压 |
2V |
| 栅极/发射极最大电压 |
20V |
在25C的连续集电极电流 |
50A |
| Pd-功率耗散 |
312W |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
集电极连续电流 |
25A |
| 产品类型 |
IGBTTransistors |
|
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3P-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 312 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGA25N120ANTD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 25 A
集电极最大连续电流 Ic: 50 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
高度: 18.9 mm
长度: 15.8 mm
产品类型: IGBT Transistors
450
子类别: IGBTs
宽度: 5 mm
零件号别名: FGA25N120ANTDTU_NL
单位重量: 6.401 g
18320997658