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| 品牌 |
ON安森美 |
型号 |
MBT3906DW1T1G |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
SOT363 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
10000 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
双极晶体管-双极结型晶体管(BJT) |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-363-6 |
晶体管极性 |
PNP |
| 配置 |
Dual |
集电极—基极电压VCBO |
-40V |
| 发射极-基极电压VEBO |
5V |
集电极—射极饱和电压 |
-0.4V |
| 最大直流电集电极电流 |
0.2A |
Pd-功率耗散 |
150mW |
| 增益带宽产品fT |
250MHz |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
|






制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 400 mV
最大直流电集电极电流: 200 mA
Pd-功率耗散: 150 mW
增益带宽产品fT: 250 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MBT3906DW1
封装: Reel
集电极连续电流: - 200 mAdc
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.35 mm
零件号别名: MBT3906DW1T2G
单位重量: 6 mg