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| 品牌 |
DIODES/美台 |
封装 |
SOT-23-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
12000 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
3.8A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
56mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.1V |
| Qg-栅极电荷 |
8nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
1.08W |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 配置 |
Single |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
3.6S |
下降时间 |
9.5ns |
| 上升时间 |
5ns |
典型关闭延迟时间 |
17.6ns |
| 典型接通延迟时间 |
6ns |
单位重量 |
8mg |
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