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| 品牌 |
VISHAY |
型号 |
IRFR320TRPBF |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TO-252 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
30000 |
制造商 |
Vishay |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
400V |
Id-连续漏极电流 |
3.1A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.8Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
Qg-栅极电荷 |
20nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
42W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
|
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 400 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 1.7 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
系列: IRFR
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 330 mg
18320997658