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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
onsemi |
型号 |
HGTG20N60B3D |
| 数量 |
1500 |
封装 |
TO-247-3 |
| 批号 |
22+ |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO |
600V |
集电极—射极饱和电压 |
1.8V |
| 栅极/发射极最大电压 |
20V |
在25C的连续集电极电流 |
20A |
| Pd-功率耗散 |
165W |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+150C |
集电极连续电流 |
40A |
| 集电极最大连续电流Ic |
40A |
栅极—射极漏泄电流 |
+/-100nA |
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 20 A
Pd-功率耗散: 165 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTG20N60B3D
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 40 A
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
450
子类别: IGBTs
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG20N60B3D_NL
单位重量: 6.390 g
18320997658