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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
TO247 |
| 批号 |
18+ |
数量 |
6850 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| RoHS |
是 |
封装/箱体 |
TO-247-3 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
配置 |
Single |
| 集电极—射极饱和电压 |
2.25V |
栅极/发射极最大电压 |
20V |
| 在25C的连续集电极电流 |
51A |
Pd-功率耗散 |
200W |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| 集电极最大连续电流Ic |
51A |
栅极—射极漏泄电流 |
100nA |
| 高度 |
20.7mm |
长度 |
15.87mm |
| 宽度 |
38g |
型号 |
IRG4PF50WPBF |
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 51 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 51 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
400
子类别: IGBTs
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
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