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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
安森美 |
型号 |
FQP50N06L |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO-220-3 |
| 极性 |
N |
漏源击穿电压(V) |
60 |
| 功率(W) |
121 |
栅源电压(V) |
±20 |
| 开启电压(V) |
2.5 |
漏极电流(A) |
52.4 |
| 输入电容(pF) |
1250 |
结温（℃） |
260 |
| 数量 |
100k |
批号 |
新年份 |
| 导通电阻(mΩ) |
21 |
总栅电荷(nC) |
24.5 |
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 121 W
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 145 ns
正向跨导 - 最小值: 40 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 380 ns
系列: FQP50N06L
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g
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