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| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
BF5030W |
| 封装 |
SOT-343-4 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
15000 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| 高度 |
0.7mm |
长度 |
1.3mm |
| 最小调谐率 |
2.15 |
调谐率测试条件 |
1/3 |
| 宽度 |
0.8mm |
Vgs-栅极-源极电压 |
6V |
| 仓库 |
深圳 |
|
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343-4
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Depletion
配置: Single Semi-Biased
正向跨导 - 最小值: 0.041 S
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
单位重量: 6.400 mg
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