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| 品牌 |
INFINEON英飞凌 |
封装 |
SOT-363 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
810000 |
| RoHS |
是 |
产品种类 |
电子元器件 |
| 最小工作温度 |
-20C |
最大工作温度 |
125C |
| 最小电源电压 |
4.5V |
最大电源电压 |
6V |
| 长度 |
2.2mm |
宽度 |
2mm |
| 高度 |
2.4mm |
型号 |
BG5412KE6327 |
| 仓库 |
深圳 |
|
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
通道模式: Depletion
配置: Single Dual Gate
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
3000
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
宽度: 1.25 mm
零件号别名: BG5412KE6327XT
单位重量: 6 mg
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