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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
ON/安森美 |
型号 |
HGTD1N120BNS9A |
| 数量 |
2000 |
封装 |
SOT252 |
| 批号 |
22+ |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO |
1200V |
集电极—射极饱和电压 |
2.5V |
| 栅极/发射极最大电压 |
20V |
在25C的连续集电极电流 |
5.3A |
| Pd-功率耗散 |
60W |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
集电极连续电流 |
5.3A |
| 集电极最大连续电流Ic |
5.3A |
|
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 5.3 A
Pd-功率耗散: 60 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTD1N120BNS
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 5.3 A
集电极最大连续电流 Ic: 5.3 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
高度: 2.3 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
宽度: 6.1 mm
单位重量: 260.370 mg
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