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| 品牌 |
仙童 |
型号 |
G10N60RUFD |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO3PTO220 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
12388 |
| RoHS |
是 |
产品种类 |
电子元器件 |
| 最小工作温度 |
-50C |
最大工作温度 |
80C |
| 最小电源电压 |
1V |
最大电源电压 |
8V |
| 长度 |
2.4mm |
宽度 |
5.4mm |
| 高度 |
2.2mm |
|
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 47 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
75
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FDU6680_NL
单位重量: 2 g
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