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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
8-PDIP |
| 批号 |
22+ |
数量 |
9800 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
门驱动器 |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
PDIP-8 |
激励器数量 |
2Driver |
| 输出端数量 |
2Output |
输出电流 |
200mA |
| 电源电压-最小 |
10V |
电源电压-最大 |
20V |
| 上升时间 |
130ns |
下降时间 |
65ns |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+125C |
| 特点 |
Synchronous |
高度 |
5.33mm |
| 长度 |
10.92mm |
宽度 |
7.11mm |
| 逻辑类型 |
CMOS |
传播延迟—最大值 |
950ns |
| 最大关闭延迟时间 |
150ns |
最大开启延迟时间 |
750ns |
| 工作电源电流 |
180uA |
工作电源电压 |
10Vto20V |
| Pd-功率耗散 |
1000mW |
单位重量 |
1g |



制造商: Infineon
产品种类: 门驱动器
RoHS: 详细信息
产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型: High-Side, Low-Side
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 200 mA
电源电压-最小: 10 V
电源电压-最大: 20 V
上升时间: 130 ns
下降时间: 65 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
特点: Synchronous
高度: 5.33 mm
长度: 10.92 mm
逻辑类型: CMOS
最大关闭延迟时间: 150 ns
最大开启延迟时间: 750 ns
工作电源电流: 180 uA
工作电源电压: 10 V to 20 V
Pd-功率耗散: 1000 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 950 ns
3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
宽度: 7.11 mm
零件号别名: IR2111PBF SP001533152
单位重量: 1 g
