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| 品牌 |
宏微IGBT模块 |
型号 |
MMG50HB120H6HN |
| 批号 |
25+ |
封装 |
SOT-227 |
| 包装 |
盒装 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
宏微 |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ChassisMount |
封装/箱体 |
SOT-227-4 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
1kV |
Id-连续漏极电流 |
21A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
500mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
520W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
9.6mm |
| 长度 |
38.2mm |
系列 |
MMG50HB120H6HN |
| 宽度 |
25.07mm |
下降时间 |
12ns |
| 上升时间 |
18ns |
典型关闭延迟时间 |
60ns |
| 典型接通延迟时间 |
21ns |
单位重量 |
30g |
18320997658