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| 品牌 |
INFINEON(英飞凌) |
型号 |
IRFB3307ZPBF |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
封装 |
TO-220-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
13453 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
75V |
| Id-连续漏极电流 |
120A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.6mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
| Qg-栅极电荷 |
110nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
230W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB3307ZPBF SP001564038
单位重量: 2 g
18320997658