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| 品牌 |
ON/安森美 |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
64800 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
FET类型 |
N通道 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
12A（Ta） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2V@250µA |
| Vgs（最大值） |
±15V |
功率耗散（最大值） |
1.5W（Ta），48W（Tj） |
| 工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
漏源电压（Vdss） |
60V |
| 型号 |
NTD3055L104G |
|
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 104 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, + 15 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 40.5 ns
正向跨导 - 最小值: 9.1 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 104 ns
75
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9.2 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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