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| 品牌 |
VISHAY/威世 |
封装 |
QFN |
| 批号 |
21+ |
数量 |
8800 |
| 制造商 |
VishaySiliconix |
系列 |
TrenchFET® |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
40A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
1.6V@250µA |
Vgs（最大值） |
±16V |
| 功率耗散（最大值） |
5.4W（Ta），83W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
PowerPAK®SO-8 |
| 漏源电压（Vdss） |
20V |
型号 |
SI7868ADP-T1-E3 |
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 98 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFET
系列: SI7
3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI7868ADP-E3
单位重量: 506.600 mg
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