联系人：章经理
邮箱：
电话：18320997658
地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOT363 |
| 数量 |
12000 |
RoHS |
是 |
| 产品种类 |
电子元器件 |
最小工作温度 |
-30C |
| 最大工作温度 |
90C |
最小电源电压 |
4V |
| 最大电源电压 |
9V |
长度 |
5.6mm |
| 宽度 |
2.7mm |
高度 |
1.5mm |
| 型号 |
BG3123RH6327 |
批号 |
22+ |
| 仓库 |
深圳 |
|
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 25 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
工作频率: 800 MHz
增益: 25 dB
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: BG3123
3000
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
零件号别名: SP000753492 BG3123RH6327XTSA1
单位重量: 6 mg
18320997658