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| 品牌 |
IXYS |
型号 |
MKI100-12F8 |
| 系列 |
MKI100 |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
E3-Pack |
批号 |
22+ |
| 数量 |
5000 |
制造商 |
IXYS |
| 产品种类 |
IGBT模块 |
RoHS |
是 |
| 产品 |
IGBTSiliconModules |
在25C的连续集电极电流 |
125A |
| 栅极—射极漏泄电流 |
600nA |
Pd-功率耗散 |
640W |
| 封装/箱体 |
E3-Pack |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+125C |
高度 |
17mm |
| 长度 |
122mm |
|





制造商: IXYS
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.3 V
在25 C的连续集电极电流: 125 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
Pd-功率耗散: 640 W
封装 / 箱体: E3-Pack
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Bulk
商标: IXYS
高度: 17 mm
长度: 122 mm
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
系列: MKI100
5
子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 62 mm
单位重量: 300 g