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| 品牌 |
Infineon(英飞凌) |
型号 |
IPD079N06L3GBTMA1 |
| 系列 |
OptiMOS3 |
最小包装量 |
卷 |
| 封装 |
TO-252-3 |
批号 |
22+ |
| 数量 |
30000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
50A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
29nC |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 36 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD079N06L3 G SP000453626
单位重量: 330 mg
18320997658