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| 品牌 |
Infineon英飞凌 |
型号 |
IPP083N10N5AKSA1 |
| 包装 |
管装 |
最小包装量 |
50 |
| FET类型 |
N通道 |
技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） |
100V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
73A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） |
6V，10V |
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） |
8.3毫欧@73A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3.8V@49µA |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） |
37nC@10V |
| Vgs（最大值） |
±20V |
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） |
2730pF@50V |
| 功率耗散（最大值） |
100W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
| 封装 |
TO-220-3 |
数量 |
10000 |
| 批号 |
具体咨询客服 |
|
18320997658